工作背景图案 武汉某光电器件厂研发历程中与此同时会产生高硅废污水（SiO₂ 500-800mg/L）和含氟废污水（F⁻ 200-300mg/L）。这两种废污水混容易生成氟硅酸溶液，传统式化学沉积法不可平衡未达标。投资项目规定要求同样我们要除硅和氟（排放量标准规范：SiO₂≤30mg/L，F⁻≤10mg/L）。 废水处理方法部分及源头 核心的成分 ：硅酸氢钠（NaHSiO₃）、氟化铵（NH₄F）、异丙醇 來源 ：晶圆刻蚀废渣、CMP研磨抛光废渣、设配消毒水 治理艺具体步骤 联合悠长岁月中阶段性 ： 二级生理反应池 ： 一号级添加Ca(OH)₂自动生成CaF₂和CaSiO₃乳浊液； 第三级添加PAC（聚合物氯化铝）武器锻造斜管沉淀池。 固液分离出来周期 ： 反渗透膜设备 ：通过0.02μm口径膜应用程序截流溶液硅和微细放置物。 深度的脱氟关键期 ： 几丁质酶阳极氧化铁吸收塔 ：的残留物氟阳离子粘附去掉。 从而结果 出水量SiO₂≤25mg/L，F⁻≤8mg/L，远依赖于我国标准化。 反渗透膜系统的通量安全稳定在15LMH，电学的洗涤时间段延后至60天。 污泥干化经压滤后含水量率＜65%，可按基本上固体废弃物应对。